英諾賽科（InnoScience）新推出的30V VGaN產(chǎn)品——INV030FQ012A，標(biāo)志著其電壓范圍的進(jìn)一步拓展。該產(chǎn)品采用了FCQFN 4mm*6mm的小型封裝設(shè)計(jì)，體積小巧，能夠有效地替代傳統(tǒng)方案中需要兩顆共漏連接的背靠背NMOS。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)不僅降低了電路板的占用面積，還為系統(tǒng)的小型化提供了強(qiáng)有力的支持。

INV030FQ012A主要應(yīng)用于過(guò)流保護(hù)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等多個(gè)場(chǎng)景，其超低導(dǎo)通電阻和寬廣的安全工作區(qū)（SOA）等特性，使得在實(shí)際應(yīng)用中，低損耗和耐短路沖擊的優(yōu)勢(shì)愈加明顯。該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)理念旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求。

產(chǎn)品特性

1.雙向?qū)芰Γ褐С蛛p向電流流動(dòng)，適應(yīng)多種應(yīng)用需求。

2.先進(jìn)的超低導(dǎo)通電阻低壓技術(shù)：通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，顯著降低導(dǎo)通電阻，提高能效。

3.超小封裝體積：小巧的封裝設(shè)計(jì)使得在空間有限的應(yīng)用中更具優(yōu)勢(shì)。

4.零反向恢復(fù)充電電量：在關(guān)斷時(shí)幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)電流，進(jìn)一步降低了能量損耗。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

與傳統(tǒng)MOSFET相比，INV030FQ012A展現(xiàn)出以下顯著優(yōu)勢(shì)：

1.占板面積縮?。翰捎肍CQFN 4x6mm封裝，單顆GaN器件能夠替代兩顆MOSFET，較傳統(tǒng)MOSFET的占板面積減少了50%。

2.超低導(dǎo)通電阻：最大導(dǎo)通電阻Ron僅為1.2m伲洗矼OSFET減少了50%，顯著提升了能效。

3.更寬的安全工作區(qū)（SOA）：具備更高的魯棒性，能夠承受短路沖擊，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

此外，INV030FQ012A的封裝設(shè)計(jì)與之前推出的40V VGaN INN040FQ012A實(shí)現(xiàn)了引腳對(duì)引腳（Pin to Pin）的兼容，客戶可以輕松進(jìn)行替換，提供了更多的電壓選擇，靈活調(diào)整系統(tǒng)的物料清單（BOM）。

應(yīng)用領(lǐng)域

高邊負(fù)載開(kāi)關(guān)：適用于需要高效能和小型化的負(fù)載開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)。

過(guò)壓保護(hù)：在電源管理中提供可靠的過(guò)壓保護(hù)解決方案。

電池保護(hù)：確保電池在充放電過(guò)程中的安全性，延長(zhǎng)電池壽命。