（1）為了便于發(fā)射結(jié)發(fā)射電子，發(fā)射區(qū)半導體的摻雜溶度遠高于基區(qū)半導體的摻雜溶度，且發(fā)射結(jié)的面積較小。

（2）發(fā)射區(qū)和集電區(qū)雖為一致性質(zhì)的摻雜半導體，但發(fā)射區(qū)的摻雜溶度要高于集電區(qū)的摻雜溶度，且集電結(jié)的面積要比發(fā)射結(jié)的面積大，便于搜集電子。

（3）聯(lián)系發(fā)射結(jié)和集電結(jié)兩個PN結(jié)的基區(qū)十分薄，且摻雜溶度也很低。

avx鉭電容好像兩個反向串聯(lián)的PN結(jié)，假如孤登時看待這兩個反向串聯(lián)的PN結(jié)，或?qū)蓚€一般二極管串聯(lián)起來組成avx鉭電容，是不可能具有電流的擴大效果。具有電放逐大效果的avx鉭電容，PN結(jié)內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特殊性是。

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